-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S300YR | DIODE GEN PURP REV 1.6KV DO9 | GeneSiC Semiconductor | DO-205AB, DO-9, Stud | 300A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-9 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 1600V | 1.2V @ 300A | 1600V | -60°C ~ 180°C |
| S300Y | DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO9 | GeneSiC Semiconductor | DO-205AB, DO-9, Stud | 300A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-9 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 1600V | 1.2V @ 300A | 1600V | -60°C ~ 180°C |
- 10
- 15
- 50
- 100