-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GAP3SLT33-214 | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 | GeneSiC Semiconductor | DO-214AA, SMB | 300mA (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DO-214AA | No Recovery Time > 500mA (Io) | 10µA @ 3300V | 42pF @ 1V, 1MHz | 2.2V @ 300mA | 3300V | 0ns | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ |
| GB02SLT12-214 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | GeneSiC Semiconductor | DO-214AA, SMB | 2A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DO-214AA | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 131pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 1A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ |
| GB01SLT06-214 | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | GeneSiC Semiconductor | DO-214AA, SMB | 1A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DO-214AA | No Recovery Time > 500mA (Io) | 10µA @ 6.5V | 76pF @ 1V, 1MHz | 2V @ 1A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ |
- 10
- 15
- 50
- 100