• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2090
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
MUR2X030A04 DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227 GeneSiC Semiconductor SOT-227-4, miniBLOC Standard Chassis Mount SOT-227 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 400V 1.3V @ 30A 400V -55°C ~ 175°C 2 Independent 30A
MURT10020 DIODE ARRAY GP 200V 50A 3TOWER GeneSiC Semiconductor Three Tower Standard Chassis Mount Three Tower Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.3V @ 50A 200V 75ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 50A
MURT10040R DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER GeneSiC Semiconductor Three Tower Standard, Reverse Polarity Chassis Mount Three Tower Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.35V @ 50A 400V 90ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Anode 50A
GBU8G BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU GeneSiC Semiconductor 4-SIP, GBU 400V 8A Single Phase Through Hole GBU Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 400V 1.1V @ 8A
MBR2X160A100 DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 GeneSiC Semiconductor SOT-227-4, miniBLOC Schottky Chassis Mount SOT-227 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 100V 840mV @ 160A 100V -40°C ~ 150°C 2 Independent 160A
MURF10005 DIODE MODULE 50V 50A TO244 GeneSiC Semiconductor TO-244AB Standard Chassis Mount TO-244 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.3V @ 50A 50V 75ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 50A
MBRF60080R DIODE SCHOTTKY 80V 300A TO244AB GeneSiC Semiconductor TO-244AB Schottky Chassis Mount TO-244AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 80V 840mV @ 250A 80V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Anode 300A
GC10MPS12-252 SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2 GeneSiC Semiconductor TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 50A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 10µA @ 1200V 660pF @ 1V, 1MHz 1.8V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
S70K DIODE GEN PURP 800V 70A DO5 GeneSiC Semiconductor DO-203AB, DO-5, Stud 70A Standard Chassis, Stud Mount DO-5 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 70A 800V -65°C ~ 180°C
DB102G BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB GeneSiC Semiconductor 4-EDIP (0.321", 8.15mm) 100V 1A Single Phase Through Hole DB Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 100V 1.1V @ 1A
MBR50040CTR DIODE MODULE 40V 250A 2TOWER GeneSiC Semiconductor Twin Tower Schottky Chassis Mount Twin Tower Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 20V 750mV @ 250A 40V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Anode 250A
M3P100A-60 BRIDGE RECT 3P 600V 100A MODULE GeneSiC Semiconductor Module 600V 100A Three Phase Chassis Mount Module Standard 10mA @ 600V 1.15V @ 100A
MBRF12035R DIODE SCHOTTKY 35V 60A TO244AB GeneSiC Semiconductor TO-244AB Schottky Chassis Mount TO-244AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 35V 700mV @ 60A 35V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Anode 60A
MSRTA40060A DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER GeneSiC Semiconductor Three Tower Standard Chassis Mount Three Tower Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 600V 1.2V @ 400A 600V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 400A (DC)
MBR2X120A120 DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227 GeneSiC Semiconductor SOT-227-4, miniBLOC Schottky Chassis Mount SOT-227 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3mA @ 120V 880mV @ 120A 120V -40°C ~ 150°C 2 Independent 120A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100