Полупроводники, Диоды GeneSiC Semiconductor TO-220FP
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 3300V
- Средний выпрямленный ток (Io): 300mA
- Прямое напряжение: 1.7V @ 300mA
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 5µA @ 3300V
- Емкость @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100