Полупроводники, Диоды GeneSiC Semiconductor GBPC-T
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: QC Terminal
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, GBPC-T
- Тип корпуса: GBPC-T
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 15A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 7.5A
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: QC Terminal
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, GBPC-T
- Тип корпуса: GBPC-T
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 12.5A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: QC Terminal
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, GBPC-T
- Тип корпуса: GBPC-T
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 12.5A
- Ток утечки: 5µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100