-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBPC15010T | BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-T | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, GBPC-T | 1kV | 15A | Single Phase | QC Terminal | GBPC-T | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 1000V | 1.1V @ 7.5A |
| GBPC3504T | BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-T | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, GBPC-T | 400V | 35A | Single Phase | QC Terminal | GBPC-T | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 400V | 1.1V @ 12.5A |
| GBPC3502T | BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, GBPC-T | 200V | 35A | Single Phase | QC Terminal | GBPC-T | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 200V | 1.1V @ 12.5A |
- 10
- 15
- 50
- 100