Полупроводники, Диоды GeneSiC Semiconductor D-67
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 90ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Средний выпрямленный ток (Io): 120A
- Прямое напряжение: 840mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 4mA @ 20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
- Средний выпрямленный ток (Io): 150A
- Прямое напряжение: 600mV @ 150A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 35V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Средний выпрямленный ток (Io): 240A
- Прямое напряжение: 840mV @ 240A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 70A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 70A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 110ns
- Ток утечки: 25µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67 HALF-PAK
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 120A
- Прямое напряжение: 700mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 110ns
- Ток утечки: 25µA @ 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
- Средний выпрямленный ток (Io): 120A
- Прямое напряжение: 650mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 4mA @ 20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 120A
- Прямое напряжение: 650mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 4mA @ 20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 70A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 70A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 90ns
- Ток утечки: 25µA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 155°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Средний выпрямленный ток (Io): 200A
- Прямое напряжение: 880mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 200A
- Прямое напряжение: 920mV @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 300A
- Прямое напряжение: 580mV @ 300A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 30V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 150A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100