-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MURH10010R | DIODE GEN PURP 100V 100A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 100A | Standard, Reverse Polarity | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 100A | 100V | 75ns | |
| MBRH20035R | DIODE SCHOTTKY 35V 200A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 200A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5mA @ 20V | 650mV @ 200A | 35V | ||
| MBRH12060 | DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 120A | Schottky | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 4mA @ 20V | 750mV @ 120A | 60V | ||
| MBRH15040L | DIODE SCHOTTKY 40V 150A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 150A | Schottky | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5mA @ 40V | 600mV @ 150A | 40V |
- 10
- 15
- 50
- 100