-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ES1DAF | RECTIFIER DIODE | Fairchild Semiconductor | DO-214AD, SMAF | 1A | Standard | Surface Mount | DO-214AD (SMAF) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 200V | 15pF @ 4V, 1MHz | 950mV @ 1A | 200V | 34ns | -55°C ~ 150°C | Automotive, AEC-Q101 |
| FSV330AF | RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 3A, 3 | Fairchild Semiconductor | DO-214AD, SMAF | 3A | Schottky | Surface Mount | DO-214AD (SMAF) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 30V | 485pF @ 0V, 1MHz | 500mV @ 3A | 30V | 12.5ns | -55°C ~ 150°C | |
| ES2DAF | RECTIFIER DIODE, 2A, 200V, DO-21 | Fairchild Semiconductor | DO-214AD, SMAF | 2A | Standard | Surface Mount | DO-214AD (SMAF) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 200V | 30pF @ 4V, 1MHz | 950mV @ 2A | 200V | 35ns | -55°C ~ 150°C | Automotive, AEC-Q101 |
- 10
- 15
- 50
- 100