-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AD, SMAF
- Тип корпуса: DO-214AD (SMAF)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 950mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 34ns
- Ток утечки: 1µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AD, SMAF
- Тип корпуса: DO-214AD (SMAF)
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 500mV @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 12.5ns
- Ток утечки: 100µA @ 30V
- Емкость @ Vr, F: 485pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AD, SMAF
- Тип корпуса: DO-214AD (SMAF)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 950mV @ 2A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 35ns
- Ток утечки: 1µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100