- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PW-MINI
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 10V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 28dbm
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 8dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Номинальный ток: 500mA
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 10V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 33.5dBmW
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Номинальный ток: 3A
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SC-62
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 30V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 630mW
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 14.9dB
- Voltage - Test: 9.6V
- Номинальный ток: 1A
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 36V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 7.5W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 11.7dB
- Voltage - Test: 9.6V
- Номинальный ток: 5A
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Частота: 1kHz
- Current - Test: 500µA
- Тип транзистора: N-Channel JFET
- Voltage - Test: 10V
- Коэффициент шума: 1dB
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 20V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 7W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 11.4dB
- Voltage - Test: 7.2V
- Номинальный ток: 3A
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-271AA
- Тип корпуса: PW-X
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 30V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 7.5W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 11.7dB
- Voltage - Test: 9.6V
- Номинальный ток: 5A
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Частота: 1kHz
- Current - Test: 500µA
- Тип транзистора: N-Channel JFET
- Voltage - Test: 10V
- Коэффициент шума: 1dB
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Частота: 1kHz
- Current - Test: 500µA
- Тип транзистора: N-Channel JFET
- Voltage - Test: 10V
- Коэффициент шума: 1dB
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 10mA, 5V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: USQ
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 10mA, 3V
- Граничная частота: 26.5GHz
- Усиление: 16.9dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: UFM
- Мощность - Макс.: 900mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
- 10
- 15
- 50
- 100