• Производитель
  • Частота
Найдено: 44
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
2SC5065-O(TE85L,F) RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Toshiba Semiconductor and Storage SC-70, SOT-323 30mA 12V 100mW Surface Mount NPN 125°C (TJ) SC-70 80 @ 10mA, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
MT3S20P(TE12L,F) RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI Toshiba Semiconductor and Storage TO-243AA 80mA 12V 1.8W Surface Mount NPN 150°C (TJ) PW-MINI 100 @ 50mA, 5V 7GHz 16.5dB 1.45dB @ 1GHz
MT3S113P(TE12L,F) RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI Toshiba Semiconductor and Storage TO-243AA 100mA 5.3V 1.6W Surface Mount NPN 150°C (TJ) PW-MINI 200 @ 30mA, 5V 7.7GHz 10.5dB 1.45dB @ 1GHz
2SC5066-O,LF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Toshiba Semiconductor and Storage SC-75, SOT-416 30mA 12V 100mW Surface Mount NPN 125°C (TJ) SSM 80 @ 10mA, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
MT4S300U(TE85L,O,F X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE Toshiba Semiconductor and Storage SC-82A, SOT-343 50mA 4V 250mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) USQ 200 @ 10mA, 3V 26.5GHz 16.9dB 0.55dB @ 2GHz
MT3S20TU(TE85L) RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM Toshiba Semiconductor and Storage 3-SMD, Flat Lead 80mA 12V 900mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) UFM 100 @ 50mA, 5V 7GHz 12dB 1.45dB @ 20mA, 5V
2SC5085-O(TE85L,F) RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Toshiba Semiconductor and Storage SC-70, SOT-323 80mA 12V 100mW Surface Mount NPN 125°C (TJ) SC-70 80 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
2SC5086-Y,LF RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM Toshiba Semiconductor and Storage SC-75, SOT-416 80mA 12V 100mW Surface Mount NPN 125°C (TJ) SSM 120 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz