• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 44
  • MT3S113TU,LF
    RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: UFM
    • Мощность - Макс.: 900mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5.3V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 30mA, 5V
    • Граничная частота: 11.2GHz
    • Усиление: 12.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC2714-O(TE85L,F)
    RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
    • Граничная частота: 550MHz
    • Усиление: 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT3S113(TE85L,F)
    RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5.3V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 30mA, 5V
    • Граничная частота: 12.5GHz
    • Усиление: 11.8dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5108-Y,LF
    RF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SSM
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 5V
    • Граничная частота: 6GHz
    • Усиление: 11dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5095-O(TE85L,F)
    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 15mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 7mA, 6V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 13dB ~ 7dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5086-O,LF
    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SSM
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK209-GR(TE85L,F)
    JFET N-CH SOT23
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Частота: 1kHz
    • Current - Test: 500µA
    • Тип транзистора: N-Channel JFET
    • Voltage - Test: 10V
    • Коэффициент шума: 1dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT3S111(TE85L,F)
    RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 700mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 30mA, 5V
    • Граничная частота: 11.5GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MT3S16U(TE85L,F)
    RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 60mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 1V
    • Граничная частота: 4GHz
    • Усиление: 4.5dBi
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5095-R(TE85L,F)
    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 15mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 7mA, 6V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 13dB ~ 7.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5096-R,LF
    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SSM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SSM
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 15mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 7mA, 6V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 1.4dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK209-Y(TE85L,F)
    JFET N-CH SOT23
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Частота: 1kHz
    • Current - Test: 500µA
    • Тип транзистора: N-Channel JFET
    • Voltage - Test: 10V
    • Коэффициент шума: 1dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5084YTE85LF
    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 11dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC4915-Y,LF
    RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SSM
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 6V
    • Граничная частота: 550MHz
    • Усиление: 17dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC4215-O(TE85L,F)
    RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 1mA, 6V
    • Граничная частота: 550MHz
    • Усиление: 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100