• Производитель
  • Частота
Найдено: 685
  • NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS RF NPN 10V 8GHZ SOT143R
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143B
    • Мощность - Макс.: 380mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 15mA, 5V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 8V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 23dB
    • Voltage - Test: 5V
    • Коэффициент шума: 1.5dB
    • Номинальный ток: 40mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Мощность - Макс.: 280mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
    • Граничная частота: 1.4GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 1.4GHz
    • Усиление: 20dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH 4V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 850MHz
    • Усиление: 15dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
    • Граничная частота: 600MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: 6-TSSOP
    • Частота: 400MHz
    • Номинальное напряжение: 6V
    • Current - Test: 19mA
    • Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
    • Усиление: 31dB
    • Voltage - Test: 5V
    • Коэффициент шума: 0.9dB
    • Номинальный ток: 30mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NPN RF TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MX0912B251Y - NPN SILICON RF POW
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-439A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Мощность - Макс.: 690W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 15A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Граничная частота: 1.215GHz
    • Усиление: 8dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 1.1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH 4V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIP PNP 0.3A 30V
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: