• Производитель
  • Частота
Найдено: 685
  • NCH J-FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 10V 250MA SOT343N
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
    • Тип корпуса: 4-SO
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 250mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 1.9GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ON5040 - RF POWER TRANSISTOR (AM
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LOW-NOISE SI TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: PG-TSLP-3-1
    • Мощность - Макс.: 210mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 15mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 11.5dB ~ 16dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: NI-780S-4
    • Тип корпуса: NI-780S-4
    • Частота: 2.3GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 280mA
    • Выходная мощность: 16W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 14.6dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH 10V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH 4V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH 1.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR FOR HIGH FREQUENCY
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 250mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 10V
    • Усиление: 7.2dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
    • Граничная частота: 600MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4
    • Мощность - Макс.: 160mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
    • Граничная частота: 42GHz
    • Усиление: 27dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: