• Производитель
  • Частота
Найдено: 685
  • SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: M04
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 4V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 11dBm
    • Тип транзистора: HFET
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 2V
    • Коэффициент шума: 0.4dB
    • Номинальный ток: 60mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SOT539A
    • Тип корпуса: SOT539A
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 30W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 110 @ 1mA, 10V
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
    • Граничная частота: 24GHz
    • Усиление: 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-UFDFN
    • Тип корпуса: 4-ECSP1008
    • Мощность - Макс.: 120mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 40mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 1V
    • Граничная частота: 26GHz
    • Усиление: 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH 2.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LOW-NOISE SI TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 4-TSFP
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 40mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 20mA, 2V
    • Граничная частота: 45GHz
    • Усиление: 22.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF LOW-NOISE SI TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH T-FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER TRANSISTORS
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SAMPLE AND HOLD CIRCUIT
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NPN HIGH FREQPOWER AMP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: