- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M135
- Тип корпуса: M135
- Мощность - Макс.: 30W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 175MHz
- Усиление: 8.2dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247CS
- Частота: 40.68MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Current - Test: 50mA
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 125V
- Номинальный ток: 14A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M122
- Тип корпуса: M122
- Мощность - Макс.: 34W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 250mA, 5V
- Граничная частота: 175MHz
- Усиление: 12dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M135
- Тип корпуса: M135
- Мощность - Макс.: 13W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 150MHz
- Усиление: 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AZ
- Тип корпуса: 55AZ
- Мощность - Макс.: 290W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 9A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15mA, 5V
- Граничная частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Усиление: 8dB ~ 8.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M218
- Тип корпуса: M218
- Мощность - Макс.: 600W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 6.2dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AW
- Тип корпуса: 55AW
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Граничная частота: 890MHz ~ 1GHz
- Усиление: 8dB ~ 8.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55BT
- Тип корпуса: 55BT
- Мощность - Макс.: 20.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 42V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 2.3GHz
- Усиление: 8dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
- Тип корпуса: Micro-X ceramic (84C)
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 13dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100