- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AZ
- Тип корпуса: 55AZ
- Мощность - Макс.: 290W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 9A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 15mA, 5V
- Граничная частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Усиление: 8dB ~ 8.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M218
- Тип корпуса: M218
- Мощность - Макс.: 600W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 17.8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 6.2dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AW
- Тип корпуса: 55AW
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Граничная частота: 890MHz ~ 1GHz
- Усиление: 8dB ~ 8.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55BT
- Тип корпуса: 55BT
- Мощность - Макс.: 20.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 42V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 2.3GHz
- Усиление: 8dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
- Тип корпуса: Micro-X ceramic (84C)
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 13dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55KT
- Тип корпуса: 55KT
- Мощность - Макс.: 1700W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 6dB ~ 6.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55BT
- Тип корпуса: 55BT
- Мощность - Макс.: 5.6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 2.3GHz
- Усиление: 8dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M164
- Тип корпуса: M164
- Мощность - Макс.: 233W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1.4A, 6V
- Граничная частота: 30MHz
- Усиление: 14dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55TU-1
- Тип корпуса: 55TU-1
- Мощность - Макс.: 8750W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz
- Усиление: 8.9dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55ST
- Тип корпуса: 55ST
- Мощность - Макс.: 88W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Усиление: 7dB
- 10
- 15
- 50
- 100