-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M138
- Тип корпуса: M138
- Мощность - Макс.: 875W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 22A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Усиление: 6.3dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 273mW
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 14mA, 10V
- Граничная частота: 4.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 2.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 50mA, 15V
- Граничная частота: 1.2GHz
- Усиление: 12dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 7.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz
- Усиление: 9.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M105
- Тип корпуса: M105
- Мощность - Макс.: 87.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 10dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55CX
- Тип корпуса: 55CX
- Мощность - Макс.: 290W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 9A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 20mA, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Усиление: 8dB ~ 9dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M113
- Тип корпуса: M113
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 36V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 30MHz
- Усиление: 18dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55FT
- Тип корпуса: 55FT
- Мощность - Макс.: 8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 750mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 24V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 11dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/343
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-72-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 500MHz
- Усиление: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AW
- Тип корпуса: 55AW
- Мощность - Макс.: 500W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Усиление: 9.5dB
- 10
- 15
- 50
- 100