- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M115
- Тип корпуса: M115
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 1.09GHz
- Усиление: 10.8dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 13dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55FT
- Тип корпуса: 55FT
- Мощность - Макс.: 13W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 24V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 2.5GHz
- Усиление: 7.8dB ~ 8.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/343
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-72-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 500MHz
- Усиление: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 13dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
- Тип корпуса: Micro-X ceramic (84C)
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 13dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M135
- Тип корпуса: M135
- Мощность - Макс.: 30W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 175MHz
- Усиление: 8.2dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M122
- Тип корпуса: M122
- Мощность - Макс.: 34W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 250mA, 5V
- Граничная частота: 175MHz
- Усиление: 12dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M135
- Тип корпуса: M135
- Мощность - Макс.: 13W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 150MHz
- Усиление: 10dB
- 10
- 15
- 50
- 100