• Производитель
  • Частота
Найдено: 448
  • RF POWER TRANSISTOR
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: M115
    • Тип корпуса: M115
    • Мощность - Макс.: 600mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 300mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 100mA, 5V
    • Граничная частота: 1.09GHz
    • Усиление: 10.8dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER TRANSISTOR
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER TRANSISTOR
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Мощность - Макс.: 1.25W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 5GHz
    • Усиление: 13dB ~ 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Stud Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: 55FT
    • Тип корпуса: 55FT
    • Мощность - Макс.: 13W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 24V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 200mA, 5V
    • Граничная частота: 2.5GHz
    • Усиление: 7.8dB ~ 8.5dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/343
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-72-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-72
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 40mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 500MHz
    • Усиление: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Мощность - Макс.: 1.25W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 5GHz
    • Усиление: 13dB ~ 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
    • Тип корпуса: Micro-X ceramic (84C)
    • Мощность - Макс.: 1.25W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 5GHz
    • Усиление: 13dB ~ 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: M135
    • Тип корпуса: M135
    • Мощность - Макс.: 30W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
    • Граничная частота: 175MHz
    • Усиление: 8.2dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER TRANSISTOR
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER TRANSISTOR
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER TRANSISTOR
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: M122
    • Тип корпуса: M122
    • Мощность - Макс.: 34W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 2.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 250mA, 5V
    • Граничная частота: 175MHz
    • Усиление: 12dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 35V 150MHZ M135
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: M135
    • Тип корпуса: M135
    • Мощность - Макс.: 13W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
    • Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
    • Граничная частота: 150MHz
    • Усиление: 10dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: