- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55FT
- Тип корпуса: 55FT
- Мощность - Макс.: 25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 9dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 250°C
- Package / Case: M216
- Тип корпуса: M216
- Мощность - Макс.: 910W
- Ток коллектора (макс): 28A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 5V
- Усиление: 7dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 250°C (TJ)
- Package / Case: M218
- Тип корпуса: M218
- Мощность - Макс.: 300W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 2A, 5V
- Граничная частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Усиление: 7.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C
- Package / Case: M130
- Тип корпуса: M130
- Мощность - Макс.: 117W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 9A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Усиление по току (hFE): 5 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 136MHz
- Усиление: 4.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C
- Package / Case: M113
- Тип корпуса: M113
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
- Усиление по току (hFE): 5 @ 250mA, 5V
- Граничная частота: 175MHz
- Усиление: 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55CT
- Тип корпуса: 55CT
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 300mA, 5V
- Граничная частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Усиление: 8.5dB ~ 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55LV
- Тип корпуса: 55LV
- Мощность - Макс.: 19W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Граничная частота: 1GHz ~ 1.4GHz
- Усиление: 7dB ~ 7.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 250°C (TJ)
- Package / Case: 2NLFL
- Тип корпуса: 2NLFL
- Мощность - Макс.: 880W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 24A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 6.7dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55ST-1
- Тип корпуса: 55ST-1
- Мощность - Макс.: 1458W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 60A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.09GHz
- Усиление: 8.6dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100