• Производитель
  • Частота
Найдено: 448
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
SD1143-01 RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 Microsemi Corporation M113 2A 18V 20W Chassis Mount NPN 200°C M113 5 @ 250mA, 5V 175MHz 10dB
0912-25 RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55CT Microsemi Corporation 55CT 2.5A 55V 125W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55CT 10 @ 300mA, 5V 960MHz ~ 1.215GHz 8.5dB ~ 10dB
S200-50A RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
1014-6A RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV Microsemi Corporation 55LV 1A 50V 19W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55LV 1GHz ~ 1.4GHz 7dB ~ 7.5dB
MS2552 RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 2NLFL Microsemi Corporation 2NLFL 24A 65V 880W Chassis Mount NPN 250°C (TJ) 2NLFL 15 @ 1A, 5V 1.025GHz ~ 1.15GHz 6.7dB
MDS800 RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1 Microsemi Corporation 55ST-1 60A 65V 1458W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55ST-1 20 @ 1A, 5V 1.09GHz 8.6dB
61111 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
44022H RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
64077 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
JANTX2N4957 RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Microsemi Corporation TO-72-3 Metal Can 30mA 30V 200mW Through Hole PNP -65°C ~ 200°C (TJ) TO-72 30 @ 5mA, 10V 25dB 3.5dB @ 450MHz
TPR1000 RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV Microsemi Corporation 55KV 80A 65V 2900W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55KV 10 @ 1A, 5V 1.09GHz 6dB
JANTXV2N2857UB RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Microsemi Corporation 3-SMD, No Lead 40mA 15V 200mW Surface Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) UB 30 @ 3mA, 1V 21dB 4.5dB @ 450MHz
SD1330-05H RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
48042 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MRF8372MR1 TRANS NPN 16V 200MA Microsemi Corporation