• Производитель
  • Частота
Найдено: 448
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
64053 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MRF581AG RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X Microsemi Corporation Macro-X 200mA 15V 1.25W Surface Mount NPN 150°C (TJ) Macro-X 90 @ 50mA, 5V 5GHz 13dB ~ 15.5dB 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
MS2092H RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
23A025 RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT Microsemi Corporation 55BT 1.2A 22V 9W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55BT 20 @ 420mA, 5V 3.7GHz 6dB ~ 6.3dB
MS1701 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MRF555G RF TRANS NPN 16V 470MHZ Microsemi Corporation 500mA 16V 3W NPN 50 @ 100mA, 5V 470MHz 12.5dB
MS2553C RF TRANS NPN 25V 1.15GHZ M220 Microsemi Corporation M220 4A 25V 175W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) M220 20 @ 500mA, 5V 1.025GHz ~ 1.15GHz 10.5dB
MS3455 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
70061A RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
UTV040 RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT Microsemi Corporation 55FT 2.5A 25V 25W Chassis, Stud Mount NPN 200°C (TJ) 55FT 10 @ 500mA, 5V 470MHz ~ 860MHz 9dB
MS2502W RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
2224-12LP RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MSC1450A RF TRANS 65V M216 Microsemi Corporation M216 28A 65V 910W Chassis Mount 250°C M216 15 @ 1A, 5V 7dB
MS2214 RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M218 Microsemi Corporation M218 8A 55V 300W Chassis Mount NPN 250°C (TJ) M218 20 @ 2A, 5V 960MHz ~ 1.215GHz 7.5dB
SD1019 RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130 Microsemi Corporation M130 9A 35V 117W Stud Mount NPN 200°C M130 5 @ 500mA, 5V 136MHz 4.5dB