- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M113
- Тип корпуса: M113
- Мощность - Макс.: 13W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 150MHz
- Усиление: 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55KT
- Тип корпуса: 55KT
- Мощность - Макс.: 88W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Усиление: 7dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Граничная частота: 4GHz
- Усиление: 6.5dB ~ 10.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: Macro-X
- Тип корпуса: Macro-X
- Мощность - Макс.: 1.25W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 13dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: M174
- Тип корпуса: M174
- Частота: 175MHz
- Номинальное напряжение: 170V
- Current - Test: 250mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 50V
- Номинальный ток: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55BT
- Тип корпуса: 55BT
- Мощность - Макс.: 9W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 22V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 420mA, 5V
- Граничная частота: 3.7GHz
- Усиление: 6dB ~ 6.3dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz
- Усиление: 12.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M220
- Тип корпуса: M220
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 10.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100