• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: Power Macro
• Тип корпуса: Power Macro
• Мощность - Макс.: 3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 500mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 250mA, 5V
• Граничная частота: 175MHz
• Усиление: 11dB ~ 13dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M113
• Тип корпуса: M113
• Мощность - Макс.: 80W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 4.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 5V
• Граничная частота: 30MHz
• Усиление: 15dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 55JU
• Тип корпуса: 55JU
• Мощность - Макс.: 270W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 20A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 31V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 1A, 5V
• Граничная частота: 225MHz ~ 400MHz
• Усиление: 7.2dB ~ 8.5dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M177
• Тип корпуса: M177
• Мощность - Макс.: 330W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 40A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 10A, 6V
• Граничная частота: 30MHz
• Усиление: 14.5dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: 55AW
• Тип корпуса: 55AW
• Мощность - Макс.: 375W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 30A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 300mA, 5V
• Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
• Усиление: 6.5dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: 55ST
• Тип корпуса: 55ST
• Мощность - Макс.: 2500W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 50A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 75V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
• Граничная частота: 960MHz ~ 1.215GHz
• Усиление: 9dB

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SO
• Мощность - Макс.: 1.5W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 400mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 10mA, 5V
• Усиление: 20dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M214
• Тип корпуса: M214
• Мощность - Макс.: 175W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 5.4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 1A, 5V
• Граничная частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
• Усиление: 9dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: M113
• Тип корпуса: M113
• Мощность - Макс.: 13W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 200mA, 5V
• Граничная частота: 150MHz
• Усиление: 10dB

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: 55KT
• Тип корпуса: 55KT
• Мощность - Макс.: 88W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
• Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
• Усиление: 7dB

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
• Тип корпуса: TO-72
• Мощность - Макс.: 200mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 30mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
• Граничная частота: 4GHz
• Усиление: 6.5dB ~ 10.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz