- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M103
- Тип корпуса: M103
- Мощность - Макс.: 875W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 22A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 6.3dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55ST-1
- Тип корпуса: 55ST-1
- Мощность - Макс.: 320W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Усиление: 7.15dB ~ 8.7dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Power Macro
- Тип корпуса: Power Macro
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 250mA, 5V
- Граничная частота: 175MHz
- Усиление: 11dB ~ 13dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M113
- Тип корпуса: M113
- Мощность - Макс.: 80W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 30MHz
- Усиление: 15dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 55JU
- Тип корпуса: 55JU
- Мощность - Макс.: 270W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 31V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 225MHz ~ 400MHz
- Усиление: 7.2dB ~ 8.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M177
- Тип корпуса: M177
- Мощность - Макс.: 330W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 10A, 6V
- Граничная частота: 30MHz
- Усиление: 14.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AW
- Тип корпуса: 55AW
- Мощность - Макс.: 375W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 300mA, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 6.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55ST
- Тип корпуса: 55ST
- Мощность - Макс.: 2500W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 75V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Усиление: 9dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10mA, 5V
- Усиление: 20dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M214
- Тип корпуса: M214
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5.4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Усиление: 9dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100