• Производитель
  • Частота
Найдено: 448
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
2224-6L RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV Microsemi Corporation 55LV 1.25A 40V 22W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55LV 20 @ 1A, 5V 2.2GHz ~ 2.4GHz 7dB
MS2201 RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M220 Microsemi Corporation M220 250mA 45V 10W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) M220 0.95 @ 10mA, 5V 1.025GHz ~ 1.15GHz 9dB
UTV020 RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT Microsemi Corporation 55FT 1.2A 25V 17W Chassis, Stud Mount NPN 200°C (TJ) 55FT 10 @ 250mA, 5V 470MHz ~ 860MHz 12dB
60168 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
61110 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MS2563 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
1035MP RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 Microsemi Corporation 55FW-1 2.5A 65V 125W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55FW-1 20 @ 100mA, 5V 1.025GHz ~ 1.15GHz 10dB ~ 10.5dB
2N5031 RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72 Microsemi Corporation TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 20mA 10V 200mW Through Hole NPN TO-72 25 @ 1mA, 6V 400MHz 12dB @ 400MHz
MS2226H RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
42126 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MS1001A TRANS RF BIPO 270W 20A Microsemi Corporation
MS2421 RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103 Microsemi Corporation M103 22A 65V 875W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) M103 10 @ 500mA, 5V 1.025GHz ~ 1.15GHz 6.3dB
MS2284 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MS2225H RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
1214-150L RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1 Microsemi Corporation 55ST-1 15A 65V 320W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55ST-1 20 @ 1A, 5V 1.2GHz ~ 1.4GHz 7.15dB ~ 8.7dB