- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55KT
- Тип корпуса: 55KT
- Мощность - Макс.: 400W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Граничная частота: 890MHz ~ 1GHz
- Усиление: 8.1dB ~ 8.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 200MHz
- Усиление: 20dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M115
- Тип корпуса: M115
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 250mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 9dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55FT
- Тип корпуса: 55FT
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 24V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 11.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Channel, DIN Rail Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55JV
- Тип корпуса: 55JV
- Мощность - Макс.: 65W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 28V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 9dB ~ 10dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10mA, 5V
- Усиление: 20dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55TU-1
- Тип корпуса: 55TU-1
- Мощность - Макс.: 2095W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 60A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz
- Усиление: 10.2dBd
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-72-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 10V
- Усиление: 25dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
- 10
- 15
- 50
- 100