- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55KT
- Тип корпуса: 55KT
- Мощность - Макс.: 270W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 75V
- Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Усиление: 7.4dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55SW
- Тип корпуса: 55SW
- Мощность - Макс.: 3400W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz
- Усиление: 10dB ~ 10.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M113
- Тип корпуса: M113
- Мощность - Макс.: 60W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 175MHz
- Усиление: 7.6dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55BT
- Тип корпуса: 55BT
- Мощность - Макс.: 3W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 22V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 4.3GHz
- Усиление: 8.5dB ~ 9.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55KT
- Тип корпуса: 55KT
- Мощность - Макс.: 400W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Граничная частота: 890MHz ~ 1GHz
- Усиление: 8.1dB ~ 8.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 200MHz
- Усиление: 20dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M115
- Тип корпуса: M115
- Мощность - Макс.: 10W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 250mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 9dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55FT
- Тип корпуса: 55FT
- Мощность - Макс.: 15W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 24V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 200mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 11.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Channel, DIN Rail Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55JV
- Тип корпуса: 55JV
- Мощность - Макс.: 65W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 28V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 9dB ~ 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100