• Производитель
  • Частота
Найдено: 448
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
SD1332-05H RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 Microsemi Corporation M150 30A 15V 180W Surface Mount NPN 200°C M150 50 @ 14mA, 10V 5.5GHz 17dB 2.5dB @ 1GHz
MRF8372G RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Microsemi Corporation 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 200mA 16V 2.2W Surface Mount NPN 8-SO 30 @ 50mA, 5V 870MHz 8dB ~ 9.5dB
1214-32L RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 Microsemi Corporation 55AW-1 5A 50V 125W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55AW-1 20 @ 1A, 5V 1.2GHz ~ 1.4GHz 7.8dB ~ 8.9dB
2324-20 RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW Microsemi Corporation 55AW 3A 40V 58W Chassis Mount 200°C 55AW 10 @ 160mA, 5V 2.3GHz ~ 2.4GHz 7dB
75102 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
SD1400-03 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MC1331-3 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
40036S RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
44086H RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MS2587 RF POWER TRANSISTOR Microsemi Corporation
MS1007 RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174 Microsemi Corporation M174 10A 55V 233W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) M174 18 @ 1.4A, 6V 30MHz 14dB
1214-110M RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT Microsemi Corporation 55KT 8A 75V 270W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55KT 1.2GHz ~ 1.4GHz 7.4dB
ITC1100 RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW Microsemi Corporation 55SW 80A 65V 3400W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55SW 10 @ 5A, 5V 1.03GHz 10dB ~ 10.5dB
SD1224-02 RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113 Microsemi Corporation M113 5A 35V 60W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) M113 20 @ 500mA, 5V 175MHz 7.6dB
23A005 RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT Microsemi Corporation 55BT 400mA 22V 3W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55BT 20 @ 100mA, 5V 4.3GHz 8.5dB ~ 9.5dB