- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AW
- Тип корпуса: 55AW
- Мощность - Макс.: 500W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Усиление: 9.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: SOT-540A
- Частота: 175MHz
- Номинальное напряжение: 80V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 300W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 40A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 200°C
- Package / Case: M150
- Тип корпуса: M150
- Мощность - Макс.: 180W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 14mA, 10V
- Граничная частота: 5.5GHz
- Усиление: 17dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 2.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 870MHz
- Усиление: 8dB ~ 9.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55AW-1
- Тип корпуса: 55AW-1
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Усиление: 7.8dB ~ 8.9dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C
- Package / Case: 55AW
- Тип корпуса: 55AW
- Мощность - Макс.: 58W
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 160mA, 5V
- Граничная частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
- Усиление: 7dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Частота: 40.68MHz
- Номинальное напряжение: 1000V
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 150V
- Номинальный ток: 13A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M174
- Тип корпуса: M174
- Мощность - Макс.: 233W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 18 @ 1.4A, 6V
- Граничная частота: 30MHz
- Усиление: 14dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100