- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55KT
- Тип корпуса: 55KT
- Мощность - Макс.: 1700W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 6dB ~ 6.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Частота: 81.36MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Выходная мощность: 100W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 125V
- Номинальный ток: 9A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55BT
- Тип корпуса: 55BT
- Мощность - Макс.: 5.6W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 100mA, 5V
- Граничная частота: 2.3GHz
- Усиление: 8dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M164
- Тип корпуса: M164
- Мощность - Макс.: 233W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 1.4A, 6V
- Граничная частота: 30MHz
- Усиление: 14dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55TU-1
- Тип корпуса: 55TU-1
- Мощность - Макс.: 8750W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 5V
- Граничная частота: 1.03GHz
- Усиление: 8.9dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55ST
- Тип корпуса: 55ST
- Мощность - Макс.: 88W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 4A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Усиление: 7dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10mA, 5V
- Усиление: 20dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55RT
- Тип корпуса: 55RT
- Мощность - Макс.: 290W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 8.5dB ~ 9.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 50mA, 10V
- Граничная частота: 870MHz
- Усиление: 9.5dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55HV
- Тип корпуса: 55HV
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 33V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 225MHz ~ 400MHz
- Усиление: 8.9db ~ 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100