- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 10mA, 5V
- Усиление: 20dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55RT
- Тип корпуса: 55RT
- Мощность - Макс.: 290W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 5V
- Граничная частота: 470MHz ~ 860MHz
- Усиление: 8.5dB ~ 9.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 16V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 50mA, 10V
- Граничная частота: 870MHz
- Усиление: 9.5dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 55HV
- Тип корпуса: 55HV
- Мощность - Макс.: 70W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 33V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 500mA, 5V
- Граничная частота: 225MHz ~ 400MHz
- Усиление: 8.9db ~ 10dB
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: M115
- Тип корпуса: M115
- Мощность - Макс.: 87.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2.6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
- Граничная частота: 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Усиление: 9dB
- 10
- 15
- 50
- 100