- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
- Граничная частота: 24GHz
- Усиление: 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 90mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 6GHz
- Усиление: 9.5dB ~ 14.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Мощность - Макс.: 700mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 8V
- Граничная частота: 7.5GHz
- Усиление: 10.5dB ~ 16.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 3.5V
- Граничная частота: 30GHz
- Усиление: 20dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 75mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: PG-SC-75
- Мощность - Макс.: 380mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 40mA, 3V
- Граничная частота: 14GHz
- Усиление: 12.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
- Граничная частота: 24GHz
- Усиление: 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 22dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 18.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3
- Мощность - Макс.: 160mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
- Граничная частота: 42GHz
- Усиление: 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 22dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 10
- 15
- 50
- 100