- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: PG-SOT223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 100mA, 8V
- Граничная частота: 6GHz
- Усиление: 9dB ~ 14dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 160mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 20mA, 4V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 21dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 185mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 50mA, 1.5V
- Граничная частота: 65GHz
- Усиление: 21dB ~ 10dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 175mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 19dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4-2
- Мощность - Макс.: 160mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
- Граничная частота: 42GHz
- Усиление: 27dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: PG-SC-75
- Мощность - Макс.: 175mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 19.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-1
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 6V
- Граничная частота: 9GHz
- Усиление: 21.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4
- Мощность - Макс.: 185mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 50mA, 1.5V
- Граничная частота: 65GHz
- Усиление: 21.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 30mA, 3V
- Граничная частота: 46GHz
- Усиление: 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: PG-SC-75
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 20dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: PG-TSFP-3
- Мощность - Макс.: 210mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 15mA, 3V
- Граничная частота: 14GHz
- Усиление: 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 580mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10.5dB ~ 16dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-1
- Мощность - Макс.: 580mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 12.5dB ~ 19dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100