- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 3.5V
- Граничная частота: 30GHz
- Усиление: 21.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: PG-TSFP-3
- Мощность - Макс.: 380mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 40mA, 3V
- Граничная частота: 14GHz
- Усиление: 9.5dB ~ 13.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 50mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 19dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: Automotive, AEC-Q101, BFR182
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 9.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4-2
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 15mA, 3V
- Граничная частота: 43GHz
- Усиление: 11dB ~ 30.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-XFDFN
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-10
- Мощность - Макс.: 125mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 55mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 2.6V
- Усиление: 25.5dB
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4-2
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 15mA, 3V
- Граничная частота: 43GHz
- Усиление: 11dB ~ 30.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-XFDFN
- Тип корпуса: TSLP-6-1
- Мощность - Макс.: 380mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 40mA, 3V
- Граничная частота: 14GHz
- Усиление: 8dB ~ 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: PG-TSFP-3
- Мощность - Макс.: 580mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 12.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: PG-SOT363-PO
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-XFDFN
- Тип корпуса: TSLP-6-1
- Мощность - Макс.: 200mW, 250mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 50mA, 70mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V, 10V
- Усиление по току (hFE): 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V
- Граничная частота: 22GHz, 9GHz
- Усиление: 14.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
- 10
- 15
- 50
- 100