• Частота
  • Производитель
Найдено: 13
  • FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.8A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.9dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-34288G-4/2
    • Тип корпуса: H-34288G-4/2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.35A
    • Выходная мощность: 60W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC RF POWER TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-33288-2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.8A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.9dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 950mA
    • Выходная мощность: 22W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: