• Частота
  • Производитель
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 13
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Частота
Номинальное напряжение
Тип транзистора
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
PTFB193404F-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 1.99GHz 65V LDMOS H-37275-6/2 80W 19dB 30V 2.6A
PTFB192503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 Cree/Wolfspeed 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 1.99GHz 65V LDMOS H-34288-4/2 50W 19dB 30V 1.9A
PTFB193404F-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 1.99GHz 65V LDMOS H-37275-6/2 80W 19dB 30V 2.6A
PTFB192503EL-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-33288-6 Cree/Wolfspeed H-33288-6 1.99GHz 65V LDMOS H-33288-6 50W 19dB 30V 1.9A
PTFB192503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-34288-4/2 1.99GHz 65V LDMOS H-34288-4/2 50W 19dB 30V 1.9A
PTFB192503EL-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-33288-6 1.99GHz 65V LDMOS H-33288-6 50W 19dB 30V 1.9A
PTFA192001E1V4R250XTMA1 IC RF POWER TRANSISTOR Infineon Technologies 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 1.99GHz 65V LDMOS H-33288-2 50W 15.9dB 30V 1.8A
PTFB193408SVV1R250XTMA1 IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 Infineon Technologies H-34275G-6/2 1.99GHz 65V LDMOS (Dual), Common Source H-34275G-6/2 80W 19dB 30V 2.65A
PTFB192557SHV1XWSA1 IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 Infineon Technologies H-34288G-4/2 1.99GHz 65V LDMOS H-34288G-4/2 60W 19dB 28V 1.35A
PTFA192001E1V4XWSA1 FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 Infineon Technologies 2-Flatpack, Fin Leads 1.99GHz 65V LDMOS H-36260-2 50W 15.9dB 30V 1.8A
PTFB193408SVV1XWSA1 IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 Infineon Technologies H-34275G-6/2 1.99GHz 65V LDMOS (Dual), Common Source H-34275G-6/2 80W 19dB 30V 2.65A
PTFB192557SHV1R250XTMA1 IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 Infineon Technologies H-34288G-4/2 1.99GHz 65V LDMOS H-34288G-4/2 60W 19dB 28V 1.35A
MRF6S19100NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-272BB 1.99GHz 68V LDMOS TO-272 WB-4 22W 14.5dB 28V 950mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100