- Частота
- Производитель
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PTFA192001E1V4XWSA1 | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Infineon Technologies | 2-Flatpack, Fin Leads | 1.99GHz | 65V | LDMOS | H-36260-2 | 50W | 15.9dB | 30V | 1.8A |
| PTFB192557SHV1R250XTMA1 | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | Infineon Technologies | H-34288G-4/2 | 1.99GHz | 65V | LDMOS | H-34288G-4/2 | 60W | 19dB | 28V | 1.35A |
| PTFA192001E1V4R250XTMA1 | IC RF POWER TRANSISTOR | Infineon Technologies | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | 1.99GHz | 65V | LDMOS | H-33288-2 | 50W | 15.9dB | 30V | 1.8A |
| MRF6S19100NBR1 | RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | Rochester Electronics, LLC | TO-272BB | 1.99GHz | 68V | LDMOS | TO-272 WB-4 | 22W | 14.5dB | 28V | 950mA |
- 10
- 15
- 50
- 100