• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
CP226V-2N4392-CT20 JFET N-CH SWITCH CHOPPER Central Semiconductor Corp Die 40V 1.8W 50 mA Surface Mount -65°C ~ 175°C (TJ) Die N-Channel 40V 20pF @ 20V 25mA @ 20V 2V @ 1nA 60 Ohms
MMBFJ175 P-CHANNEL JFET, TO-236AB Fairchild Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 225mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 P-Channel 7mA @ 15V 3V @ 10nA 125 Ohms
J212 TO-92 3L JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH Linear Integrated Systems, Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 25V 360mW Through Hole -55°C ~ 150°C TO-92 N-Channel 4pF @ 15V 15mA @ 15V 4V @ 1nA J212
MX2N4856 N CHANNEL JFET Microchip Technology TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 40V 360mW Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-18 (TO-206AA) N-Channel 40V 18pF @ 10V 175mA @ 15V 4V @ 0.5nA 25 Ohms Military, MIL-PRF-19500/385
MQ2N5115 JFET Microchip Technology
BF247A JFET N-CH 25V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 25V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 30mA @ 15V 600mV @ 100nA
MMBF5462 JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 40V 225mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 P-Channel 7pF @ 15V 4mA @ 15V 1.8V @ 1µA
PN4302 JFET N-CH 30V 625MW TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 500µA @ 15V 4V @ 1nA
MMBFJ271 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 225mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 P-Channel 6mA @ 15V 1.5V @ 1nA
MMBF4391 JFET N-CH 30V 350MW SOT23-3 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 14pF @ 20V 50mA @ 20V 4V @ 1nA 30 Ohms
2SK34260TL JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P Panasonic Electronic Components SOT-723 100mW 2 mA Surface Mount -20°C ~ 80°C (TA) SSSMini3-F1 N-Channel 20V 107µA @ 2V
2SK1070PIETL-E JFET N-CH MPAK Renesas Electronics America TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 22V 150mW Surface Mount 150°C 3-MPAK N-Channel 9pF @ 5V 12mA @ 5V 0V @ 10µA
PN5432 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 25V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 30pF @ 10V (VGS) 150mA @ 15V 4V @ 3nA 5 Ohms
U1898 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 40V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 16pF @ 20V 15mA @ 20V 2V @ 1nA 50 Ohms
2N4119A-2 MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF Vishay Siliconix TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 40V 300mW Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-206AF (TO-72) N-Channel 3pF @ 10V 200µA @ 10V 2V @ 1nA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.