Полупроводники, Транзисторы, JFET IDSS(MAX) 85 A

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • UJ3N065025K3S
    650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    UnitedSiC
    • Производитель: UnitedSiC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
    • Мощность - Макс.: 441W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 650V
    • Ток стока макс (Id): 85 A
    • Сопротивление канала (On): 33 mOhms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100