Полупроводники, Транзисторы, JFET IDSS(MAX) 5 mA
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 35V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
- Ток стока макс (Id): 5 mA
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/295
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
- Тип канала: P-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
- Мощность - Макс.: 300mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 5 V
- Ток стока макс (Id): 5 mA
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100