Найдено: 74
  • JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/295
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 5 V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 50V SMV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMV
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AF (TO-72)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 50 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 35V 0.3W TO-72
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-72
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 35V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AA (TO-18)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SMV
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-SMD
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 35V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 50MA 300MW SPA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-72
    • Тип корпуса: 3-SPA
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V
    • Ток стока макс (Id): 50 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: