Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 12A Pmax 75W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 15
  • IXBH6N170
    IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: BIMOSFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 1.08µs
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 36A
    • Gate Charge: 17nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTD10N50F1
    10A, 500V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: I-PAK
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
    • Gate Charge: 13.4 nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGT6N170-TRL
    IXGT6N170 TRL
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: TO-268
    • Время обратного восстановления (trr): 36ns
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Gate Charge: 20nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTH12N50C1D
    12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
    • Тип корпуса: TO-218 Isolated
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTH12N40E1D
    12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
    • Тип корпуса: TO-218 Isolated
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGT6N170
    IGBT 1700V 12A 75W TO268
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: TO-268AA
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 1.5mJ (off)
    • Gate Charge: 20nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTD10N50F1S
    10A, 500V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
    • Gate Charge: 13.4 nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXBT6N170
    IGBT 1700V 12A 75W TO268
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: BIMOSFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: TO-268AA
    • Время обратного восстановления (trr): 1.08µs
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 36A
    • Gate Charge: 17nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH6N170
    IGBT 1700V 12A 75W TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 1.5mJ (off)
    • Gate Charge: 20nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTD10N40F1S
    10A, 400V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
    • Gate Charge: 13.4 nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTH12N50C1
    12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
    • Тип корпуса: TO-218 Isolated
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTP10N40F1D
    12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Gate Charge: 13.4 nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTH12N40C1D
    12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
    • Тип корпуса: TO-218 Isolated
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTB12N60D1C
    12A, 600V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-5
    • Тип корпуса: TO-220-5
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 40A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTD10N40F1
    10A, 400V N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: I-PAK
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
    • Gate Charge: 13.4 nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100