Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 10A Pmax 73.5W

Найдено: 2
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Мощность - Макс.: 73.5W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 12.1nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 5.4ns/25.4ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT NPT 600V 10A D2PAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Мощность - Макс.: 73.5W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 12.1nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 5.4ns/25.4ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: