Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
FGB5N60UNDF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Fairchild Semiconductor TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A 600V 73.5W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) TO-263AB (D²PAK) Standard NPT 2.4V @ 15V, 5A 400V, 5A, 10Ohm, 15V 15A 35ns 80µJ (on), 70µJ (off) 12.1nC 5.4ns/25.4ns
FGB5N60UNDF IGBT NPT 600V 10A D2PAK onsemi TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 10A 600V 73.5W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D²PAK (TO-263) Standard NPT 2.4V @ 15V, 5A 400V, 5A, 10Ohm, 15V 15A 35ns 80µJ (on), 70µJ (off) 12.1nC 5.4ns/25.4ns