Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 125A Pmax 660W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • IXBX50N360HV
    IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: BIMOSFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: TO-247PLUS-HV
    • Время обратного восстановления (trr): 1.7µs
    • Мощность - Макс.: 660W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 125A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3600V
    • Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 420A
    • Gate Charge: 210nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100