Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 120A Pmax 520W

Найдено: 5
  • IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D1
    • Тип корпуса: D1
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D1
    • Тип корпуса: D1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: SUPER-247™ (TO-274AA)
    • Время обратного восстановления (trr): 170ns
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
    • Gate Charge: 435nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 110ns/490ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1700V 120A 520W D1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: D1
    • Тип корпуса: D1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 120A I(C), 1200V V(BR)CES,
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: SUPER-247™ (TO-274AA)
    • Время обратного восстановления (trr): 170ns
    • Мощность - Макс.: 520W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 4.8mJ (on), 2.8mJ (off)
    • Gate Charge: 435nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 110ns/490ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: