Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 100A Pmax 416W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
  • APT75GT120JU3
    IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT75GT120JU3
    IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT75GT120JU2
    IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGW50N60HSFKSA1
    IGBT 600V 100A 416W TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-1
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 1.96mJ
    • Gate Charge: 179nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGW50N60HS
    IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 1.96mJ
    • Gate Charge: 179nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGW50N60HS
    IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-1
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 1.96mJ
    • Gate Charge: 179nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100