Найдено: 43
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Three Level Inverter
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Boost Chopper
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Three Level Inverter
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Three Level Inverter - IGBT, FET
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 75A 250W S3
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: S-3 Module
    • Тип корпуса: S3
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP4
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ABU / IGBT
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247A
    • Время обратного восстановления (trr): 65ns
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 50A, 16Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
    • Switching Energy: 830µJ (on), 670µJ (off)
    • Gate Charge: 36nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Three Level Inverter
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP6P
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Конфигурация: Triple, Dual - Common Source
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 650V 100A 250W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Buck Chopper
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: