• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 4
  • IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 447W
    • Ток коллектора (макс): 111A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 447W
    • Ток коллектора (макс): 111A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Мощность - Макс.: 319W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 111A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
    • Gate Charge: 123nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Мощность - Макс.: 319W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 111A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
    • Gate Charge: 123nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: