- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Конфигурация
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Входной каскад
|
IGBT Type
|
Обратный ток коллектора
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Input
|
Test Condition
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
NTC Thermistor
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RGTVX2TS65GC11 | 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 | Rohm Semiconductor | TO-247-3 | 111A | 650V | 319W | Through Hole | -40°C ~ 175°C (TJ) | TO-247N | Standard | Trench Field Stop | 1.9V @ 15V, 60A | 400V, 60A, 10Ohm, 15V | 240A | 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) | 123nC | 49ns/150ns | ||||
| RGTVX2TS65DGC11 | 650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT | Rohm Semiconductor | TO-247-3 | 111A | 650V | 319W | Through Hole | -40°C ~ 175°C (TJ) | TO-247N | Standard | Trench Field Stop | 1.9V @ 15V, 60A | 400V, 60A, 10Ohm, 15V | 240A | 2.08mJ (on), 1.15mJ (off) | 123nC | 49ns/150ns | ||||
| VS-GB70NA60UF | IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOT-227-4, miniBLOC | 111A | 600V | 447W | Chassis Mount | Single | -40°C ~ 150°C (TJ) | SOT-227 | NPT | 100µA | 2.44V @ 15V, 70A | Standard | No | ||||||
| VS-GB70LA60UF | IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOT-227-4, miniBLOC | 111A | 600V | 447W | Chassis Mount | Single | -40°C ~ 150°C (TJ) | SOT-227 | NPT | 100µA | 2.44V @ 15V, 70A | Standard | No |
- 10
- 15
- 50
- 100