• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 69
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Dual Buck Chopper
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 110A 284W TO247
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 284W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 130A
    • Switching Energy: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/220ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-IGBT-SBD-BL2
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Full Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 110A 416W SP6P
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Конфигурация: Triple, Dual - Common Source
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP4
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 357W D1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: D1
    • Тип корпуса: D1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 4mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.345 nF @ 25 V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: