• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 69
  • IGBT MODULE 1200V 110A 355W E3
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E3
    • Тип корпуса: E3
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 355W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 4mA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-IGBT-SBD-BL1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 110A 416W SP6P
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Конфигурация: Three Phase
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 110A 278W MAX247
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: MAX247™
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Мощность - Макс.: 278W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
    • Gate Charge: 195nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 360W E3
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E3
    • Тип корпуса: E3
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 360W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 3mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PM-IGBT-SBD-BL1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 25µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 110A 416W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 110A 446W TO247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Мощность - Макс.: 446W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 995µJ (on), 1070µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/240ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Dual Boost Chopper
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 357W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MODULE 600V 110A 416W SP4
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 416W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1700V 110A 625W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 625W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: