- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: D1
- Тип корпуса: D1
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 4mA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.345 nF @ 25 V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Конфигурация: Dual Buck Chopper
- Мощность - Макс.: 385W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Asymmetrical Bridge
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Конфигурация: Full Bridge
- Мощность - Макс.: 385W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP2
- Тип корпуса: SP2
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 357W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
- Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
- Мощность - Макс.: 430W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 2500V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 580A
- Gate Charge: 410nC
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227B
- Конфигурация: Single
- Мощность - Макс.: 298W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
- NTC Thermistor: No
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Конфигурация: Half Bridge
- Мощность - Макс.: 385W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Конфигурация: Dual, Common Source
- Мощность - Макс.: 416W
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Standard
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AC
- Время обратного восстановления (trr): 27ns
- Мощность - Макс.: 255W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- IGBT Type: Trench
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
- Gate Charge: 132nC
- Td (on/off) @ 25°C: 44ns/245ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: BIMOSFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264AA
- Время обратного восстановления (trr): 360ns
- Мощность - Макс.: 1040W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 110A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
- Test Condition: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 42A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
- Switching Energy: 3.8mJ (off)
- Gate Charge: 358nC
- Td (on/off) @ 25°C: 26ns/418ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100