Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 10A | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 94

STGD5NB120SZ-1

IGBT 1200V 10A 75W IPAK

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: PowerMESH™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: TO-251 (IPAK)
- Мощность - Макс.: 75W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 10A
- Switching Energy: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C: 690ns/12.1µs
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FMS7G10US60S

IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 25PM-AA
- Тип корпуса: 25PM-AA
- Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
- Мощность - Макс.: 66W
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Single Phase Bridge Rectifier
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 710 pF @ 30 V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STGD5H60DF

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Время обратного восстановления (trr): 134.5ns
- Мощность - Макс.: 83W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
- Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
- Gate Charge: 43nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SIGC12T60NCX1SA1

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
- Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL9V2040P3

N-CHANNEL IGBT

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: EcoSPARK®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 130W
- Входной каскад: Logic
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
- Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
- Gate Charge: 12nC
- Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STGF5H60DF

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Время обратного восстановления (trr): 134.5ns
- Мощность - Макс.: 24W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
- Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
- Gate Charge: 43nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
ISL9V2040D3ST

IGBT 430V 10A TO252AA

onsemi
- Производитель: onsemi
- Серия: EcoSPARK®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252AA
- Мощность - Макс.: 130W
- Входной каскад: Logic
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
- Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
- Gate Charge: 12nC
- Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
STGB3NB60KDT4

IGBT 600V 10A 50W D2PAK

STMicroelectronics
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: PowerMESH™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Время обратного восстановления (trr): 45ns
- Мощность - Макс.: 50W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
- Switching Energy: 30µJ (on), 58µJ (off)
- Gate Charge: 14nC
- Td (on/off) @ 25°C: 14ns/33ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FP10R12W1T7B3BOMA1

IGBT MODULE LOW POWER EASY

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: EasyPIM™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-EASY1B-2
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Мощность - Макс.: 20mW
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Обратный ток коллектора: 4.5µA
- Input: Three Phase Bridge Rectifier
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A (Typ)
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.89 nF @ 25 V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FMS7G10US60

IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 25PM-AA
- Тип корпуса: 25PM-AA
- Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
- Мощность - Макс.: 66W
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Three Phase Bridge Rectifier
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 710 pF @ 30 V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IRGIB4610DPBF

IGBT 600V FULLPAK220 COPAK

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Switching Energy: 122µJ (on), 56µJ (off)
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
SIGC06T60EX1SA2

IGBT CHIP

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: TrenchStop™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- IGBT Type: Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 10A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
RJH60A81RDPD-A0#J2

IGBT 600V 5A

Renesas Electronics America
- Производитель: Renesas Electronics America
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Время обратного восстановления (trr): 100ns
- Мощность - Макс.: 29.4W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Test Condition: 300V, 5A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: Trench
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
- Switching Energy: 130µJ (on), 60µJ (off)
- Gate Charge: 11nC
- Td (on/off) @ 25°C: 30ns/40ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NTE3300

IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT

NTE Electronics, Inc
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220 Full Pack
- Мощность - Макс.: 30W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 20V, 130A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 130A
- Td (on/off) @ 25°C: 150ns/450ns
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FMS6G10US60

IGBT MODULE 600V 10A 66W 25PMAA

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 25PM-AA
- Тип корпуса: 25PM-AA
- Конфигурация: Three Phase Inverter
- Мощность - Макс.: 66W
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
- Обратный ток коллектора: 250µA
- Input: Three Phase Bridge Rectifier
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 710 pF @ 30 V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: