• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 94
  • IGT6D10
    10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 40A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FP10R12W1T7PB11BPSA1
    LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EasyPIM™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1B
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 20mW
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 4.5µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1890pF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGTM10N40
    N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ISL9V2040P3
    N-CHANNEL IGBT
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ISL9V2040S3ST
    IGBT 430V 10A TO263AB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGB5N60UNDF
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB (D²PAK)
    • Время обратного восстановления (trr): 35ns
    • Мощность - Макс.: 73.5W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 12.1nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 5.4ns/25.4ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIGC12T60NCX7SA1
    IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGL5N150UFTU
    IGBT 1500V 10A 125W TO264
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1500V
    • Test Condition: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 190µJ (on), 100µJ (off)
    • Gate Charge: 30nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 10ns/30ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGP5H60DF
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Время обратного восстановления (trr): 134.5ns
    • Мощность - Макс.: 88W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
    • Gate Charge: 43nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGD5T120SH
    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Мощность - Макс.: 69W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5A
    • Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off)
    • Gate Charge: 6.7nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FP10R12W1T7B11BOMA1
    IGBT MODULE 1200V 10A 20MW EASY
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EasyPIM™, TRENCHSTOP™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 75°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1B-2
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 20mW
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 4.5µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.89 nF @ 25 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOTF5B65M1
    IGBT 650V 5A TO220
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: Alpha IGBT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Время обратного восстановления (trr): 195ns
    • Мощность - Макс.: 25W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 14nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIGC12T60NCX1SA4
    IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGC10B60KB
    IGBT CHIP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIGC06T60EX7SA1
    IGBT 3 CHIP 600V 10A WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100