• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 94
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 10A, 600V, N-CHANNEL
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 25PM-AA
    • Тип корпуса: 25PM-AA
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 66W
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 0.71nF @ 30V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 5A
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 29.4W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 5A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 5A
    • Switching Energy: 130µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 11nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/40ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 3 CHIP 600V WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 10A, 27Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT CHIP WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 10A, 22Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.56V @ 15V, 10A
    • Gate Charge: 4.8nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LOW POWER EASY AG-EASY1B-1
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EasyPIM™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY1B
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 20mW
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 4.5µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1890pF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 10A 25W TO220FP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220FP
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 25W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 50A
    • Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
    • Gate Charge: 35nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220NFM
    • Время обратного восстановления (trr): 42ns
    • Мощность - Макс.: 25W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 30A
    • Gate Charge: 22nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 10A 55W IPAK
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: TO-251 (IPAK)
    • Мощность - Макс.: 55W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 7A, 1kOhm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 15mJ (off)
    • Gate Charge: 29nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 570ns/-
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT CHIP WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • IGBT Type: Trench
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 83W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 12V, 14A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 36A
    • Switching Energy: 38µJ (on), 130µJ (off)
    • Gate Charge: 18.3nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 4.3ns/36ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1500V 10A 50W TO220F
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F-3
    • Мощность - Макс.: 50W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1500V
    • Test Condition: 600V, 5A, 10Ohm, 10V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 190µJ (on), 100µJ (off)
    • Gate Charge: 30nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 10ns/30ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 430V 10A 130W TO263AB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 430V 10A 130W TO220AB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 130W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 430V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: